2019-1-9 13:49:27
GaAs - Alta
GaAs representa o mais alto nível de tecnologia PV por causa de sua propriedade superior e confiabilidade. Uma célula tradicional de GaAs é cara, pesada e frágil e, portanto, n?o pode ser aplicada a um sistema de energia móvel. A tecnologia de células solares de película fina GaAs desenvolvida pela Alta Devices é altamente eficiente, barata, de desempenho superior em gera??o de energia, leve e flexível, tornando-a perfeitamente aplicável a um sistema de energia móvel.
Na Alta Devices, crescemos camadas epitaxiais para formar produtos solares de película fina em um chip de cristal de GaAs pelo MOCVD e levamos o dispositivo e o substrato flexível para fora do chip de cristal pela tecnologia de processamento por via úmida. Em seguida, produtos de tamanhos diferentes s?o concluídos de acordo com as necessidades do cliente. A tecnologia MOCVD de rápido crescimento e a tecnologia VPE para grandes áreas, desenvolvidas independentemente pela Alta Devices, permitem grandes redu??es de custo e possibilitam a fabrica??o em grande escala.
GaAs - GSE
A GSE adota a tecnologia de co-evapora??o flexível CIGS. A linha de produ??o usa uma técnica roll-to-roll para desenvolver células solares CIGS funcionais e filmes em substratos flexíveis de a?o inoxidável com uma espessura de 30 μm; fontes de evapora??o distribuídas multiponto s?o adotadas para melhorar a uniformidade dos filmes depositados; processo de evapora??o curto (menos de 4 min.); matérias-primas s?o fáceis de adquirir (Cu, In, partículas de Se, Ga líquido); XRF duplos s?o utilizados para monitorizar a espessura e componentes de filmes depositados através de co-evapora??o e compensados ajustando as fontes de evapora??o quando fora do alvo; as matérias-primas têm uma alta taxa de uso, os materiais na sala de co-evapora??o podem ser recolhidos para reutiliza??o; gerenciamento fácil de poeira (troca do painel de prote??o) e manuten??o conveniente da fonte de evapora??o (6 horas de manuten??o).
Além disso, a GSE também possui uma técnica independente de empacotamento de interconex?o de célula integrada (ICI). A técnica de embalagem ICI adota revestimento baseado em imagem para produzir eletrodos com uma estrutura interna mais apertada, diminuindo a resistência elétrica de módulos conectados em série. As células s?o conectadas via solda a laser, o que resolve a quest?o dos curtos-circuitos. A perda de taxa de convers?o de células e módulos foi amplamente reduzida.
CIGS - Solibro
Com 35 anos de pesquisa e desenvolvimento e 10 anos de experiência em produ??o real, a Solibro detém 88 patentes e demonstrou a integra??o e a experiência de entrega de projetos chave na m?o envolvendo a indústria de processamento de equipamentos, bem como o controle integrado dos custos de produ??o.
As principais características tecnológicas da tecnologia de co-evapora??o CIGS da Solibro: evapora??o de baixo para cima, sistema de fonte multi-ponto e distancia relativamente grande entre fontes e substratos. O revestimento de filme funcional de células CIGS é completado com diferentes dispositivos especializados. Vantagens para a industrializa??o: desempenho robusto, grande confiabilidade, alta produ??o, manuten??o conveniente, alta taxa de opera??o e futura eficiência e flexibilidade de melhoria tecnológica.
Hoje, a Solibro é capaz de fornecer suporte completo de um projeto customizado do projeto CIGS POWER LINE para o lan?amento de uma linha de produ??o, incluindo sistemas independentes de co-evapora??o CIGS para garantir a alta qualidade de um processo central CIGS e a mais alta taxa de convers?o.
CIGS - MiaSolé
A MiaSolé adota o único sistema de revestimento de pulveriza??o catódica CIGS de ponto único do mundo. Pode completar a deposi??o de filmes para células CIGS em condi??es de vácuo. Um substrato de a?o inoxidável de oito quil?metros de comprimento e um metro de largura pode ser usado uma vez para produzir 1,2MW de filmes.
A técnica inédita de seleneto in situ e a técnica de revestimento por pulveriza??o catódica CdS quebram a taxa de rendimento e os tetos de alto custo da produ??o de CIGS.
Exclusivas técnicas de tritura??o rotativa e pulveriza??o de três lados; e desenvolvimento rápido de técnica.
Tempo de Takt menos de 60 minutos; menor ciclo de P & D e fabrica??o entre a indústria, 5% ou menos do tempo takt normal.
Técnica ecologicamente correta, sem desperdício de água ou gás, apresentando baixo consumo de energia e atendendo aos requisitos ambientais nacionais.
A tecnologia recebeu aten??o nacional com requisitos específicos de prioriza??o de desenvolvimento.
O Guia de Desenvolvimento de Tecnologia Genérica Industrial Key 2015, do Ministério da Indústria e Tecnologia da Informa??o, observa que “a produ??o de células CIGS de P & D, especialmente a técnica de produ??o contínua de rolo a rolo em larga escala, deve ser apoiada.”
ACERTAR
A eficiente tecnologia de heteroestruturas de silício refere-se à tecnologia de heterojun??o cuja camada intrínseca possui material de silício amorfo. A tecnologia consiste em produzir um total de 6 camadas de filme nas superfícies para cima e para baixo da pastilha de silício de tipo único tipo n ou tipo p. A estrutura da célula SHJ de dupla face do Grupo é filme Ag / ITO / filme de silício amorfo do tipo p / filme de silício amorfo intrínseco / wafer de silício monocristalino tipo n / filme de silício amorfo intrínseco / silício amorfo do tipo n filme / filme ITO na parte de trás / grade Ag
